品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMS3015SSS-13
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功率:1.55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1276pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
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栅极电荷:30.6nC@10V
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栅极电荷:30.6nC@10V
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栅极电荷:30.6nC@10V
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导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
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栅极电荷:30.6nC@10V
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栅极电荷:30.6nC@10V
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输入电容:1276pF@15V
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栅极电荷:30.6nC@10V
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栅极电荷:30.6nC@10V
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栅极电荷:30.6nC@10V
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阈值电压:2.5V@250µA
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导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
输入电容:1276pF@15V
功率:1.55W
栅极电荷:30.6nC@10V
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阈值电压:2.5V@250µA
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导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
输入电容:1276pF@15V
功率:1.55W
栅极电荷:30.6nC@10V
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阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30.6nC@10V
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输入电容:1276pF@15V
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漏源电压:30V
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连续漏极电流:11A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
输入电容:1276pF@15V
功率:1.55W
栅极电荷:30.6nC@10V
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阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
输入电容:1276pF@15V
功率:1.55W
栅极电荷:30.6nC@10V
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功率:1.55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1276pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1276pF@15V
连续漏极电流:11A
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导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
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栅极电荷:30.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1276pF@15V
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导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30.6nC@10V
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输入电容:1276pF@15V
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导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30.6nC@10V
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输入电容:1276pF@15V
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输入电容:1276pF@15V
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输入电容:1276pF@15V
连续漏极电流:11A
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导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
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