采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1825
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：210429}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：210429}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
