采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@15V
连续漏极电流：16A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：16A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：11A€30A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@15V
连续漏极电流：16A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：11A€30A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@15V
连续漏极电流：16A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：11A€30A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：16A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5561，"08+"：3000，"09+"：1196，"10+"：121500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2520，"07+"：216000，"08+"：316500，"09+"：1450，"10+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.25mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：11A€30A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
