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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
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功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
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输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
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输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
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功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
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阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
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功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：37nC@4.5V
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连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
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阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
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输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
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ECCN：EAR99
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输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
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功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
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输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
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连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
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连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
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栅极电荷：37nC@4.5V
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连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
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栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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