品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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栅极电荷:33nC@10V
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
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漏源电压:30V
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
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功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
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类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
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规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
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输入电容:1295pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
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规格型号(MPN):SIL08N03-TP
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功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
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输入电容:1295pF@15V
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导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
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品牌:MCC
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规格型号(MPN):SIL08N03-TP
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功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
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功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL08N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
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