品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.65mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.65mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.65mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.65mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.65mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:36.6nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:2090pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:36.6nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:2090pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
输入电容:843pF@15V
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:73A
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
导通电阻:8mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:36.6nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:2090pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:36.6nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:2090pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:69W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: