品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":35765,"16+":7725}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4969N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":3762,"10+":391000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4823NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW€32.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1013pF@12V
连续漏极电流:7.1A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":14942,"12+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4823NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW€32.9W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1013pF@12V
连续漏极电流:7.1A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":35765,"16+":7725}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4969N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4823NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW€32.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
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输入电容:1013pF@12V
连续漏极电流:7.1A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4823NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW€32.9W
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类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4823NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW€32.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1013pF@12V
连续漏极电流:7.1A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4969N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD4969N-35G
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
连续漏极电流:9.4A€41A
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:837pF@15V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:管件
功率:1.38W€26.3W
包装清单:商品主体 * 1
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