销售单位:个
规格型号(MPN):AOD480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€21W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
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输入电容:345pF@25V
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类型:N沟道
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
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功率:21W
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
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类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€21W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
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连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
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类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
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连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
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连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD480
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
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销售单位:个
规格型号(MPN):AOD480
工作温度:-55℃~175℃
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销售单位:个
规格型号(MPN):AOD480
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导通电阻:23mΩ@20A,10V
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销售单位:个
规格型号(MPN):AOD480
工作温度:-55℃~175℃
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ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD480
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:N沟道
功率:2.5W€21W
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: