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    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
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    当前匹配商品:40+
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    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":207500,"13+":30000,"14+":74585}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订1293个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订1293个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订1293个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订1293个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":207500,"13+":30000,"14+":74585}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.45V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    输入电容:940pF@12V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.6A€40A

    栅极电荷:10nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.27W€35.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    输入电容:940pF@12V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.6A€40A

    栅极电荷:10nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.27W€35.3W

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4346DY-T1-GE3 起订40个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4346DY-T1-GE3 起订40个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4346DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.31W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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