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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：204，"07+"：34200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：40625}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：40625}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：204，"07+"：34200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
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输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：40625}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
