采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
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输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
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输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：31.8A
类型：N沟道
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8067-H，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8067-H，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8067-H，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：520pF@15V
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：6000}
规格型号(MPN)：PSMN020-30MLCX
连续漏极电流：31.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：430pF@15V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：1.95V@1mA
导通电阻：18.1mΩ@5A，10V
功率：33W
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
