品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC889N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:13A€45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":22842}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4927NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€20.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:913pF@15V
连续漏极电流:7.9A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100,"11+":845,"19+":4500,"20+":16500,"21+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4927NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€20.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:913pF@15V
连续漏极电流:7.9A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1057pF@15V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1057pF@15V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1057pF@15V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1057pF@15V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4928NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€20.8W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:913pF@15V
连续漏极电流:7.3A€37A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1057pF@15V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":319990,"12+":10000,"15+":10000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC889N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:13A€45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100,"11+":845,"19+":4500,"20+":16500,"21+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4927NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€20.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:913pF@15V
连续漏极电流:7.9A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: