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    品牌
    NXP
    类型
    漏源电压
    30V
    包装方式
    栅极电荷
    行业应用
    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 6.1nC@4.5V
    行业应用: 汽车
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    NXP Mosfet场效应管 PMN38EN,135 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN38EN,135 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN38EN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:6.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:495pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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