采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2599，"22+"：1454，"23+"：1866，"MI+"：2919}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@30µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R6-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2001pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R6-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2001pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R9-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：36.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2419pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M5R2-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2467pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M5R2-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2467pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R9-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：36.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2419pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
