采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D4N03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D4N03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D4N03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D4N03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
连续漏极电流：100A
输入电容：2458pF@12V
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D4N03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
