首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型
    漏源电压
    30V
    工作温度
    包装方式
    行业应用
    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:2700+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€45W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@10V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@23A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11003NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€19W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF014N03TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RMW200N03TB

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R203NL,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R203NL,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH3R203NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€44W

    阈值电压:2.3V@300µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N03HZGTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N03HZGTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ035N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€24W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E100XNTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K15AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2057}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6431-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKVL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKVL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKVL

    工作温度:150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7900,"13+":16000,"14+":71789,"19+":24000,"9999":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LN01SS-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTF025N03FRATL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF025N03FRATL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF025N03FRATL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订75个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订75个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€22W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:9.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EC4401C-TL 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 EC4401C-TL 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":80000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EC4401C-TL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025N03HZGTL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025N03HZGTL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR025N03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧