采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1800，"23+"：2943，"24+"：8559}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7799L2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6714pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@21A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB44N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：307W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@22A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1800，"23+"：2943，"24+"：8559}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7799L2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6714pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@21A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1800，"23+"：2943，"24+"：8559}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7799L2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6714pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@21A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB44N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：307W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@22A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4229TRLPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD4N25TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€37W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@1.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB44N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：307W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@22A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB44N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：307W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@22A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB44N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：307W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@22A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
