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    类型: N沟道
    漏源电压: 600V
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 5V@250µA
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:80+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N60ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:86.2W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N60ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:86.2W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

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    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N60ECP ROG

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    工作温度:150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

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    功率:86.2W

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

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    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

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    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

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    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STW55NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STW55NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW55NM60ND

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    功率:350W

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    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

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    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

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    规格型号(MPN):STW36NM60ND

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    功率:190W

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    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL13N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STL13N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL13N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:52W

    阈值电压:5V@250µA

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    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:370mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    ST Mosfet场效应管 STF13NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STF13NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13NM60ND

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    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

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    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

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    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STP34NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STP34NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP34NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):STP20NM60FP

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    功率:45W

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    栅极电荷:54nC@10V

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    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ST Mosfet场效应管 STF25NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STF25NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF25NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

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    输入电容:2400pF@50V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

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    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

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    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

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    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

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    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

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    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

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    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60FP

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP11NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STP11NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP11NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:850pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

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    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STF34NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STF34NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF34NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:62.5nC@10V

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    输入电容:2090pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW34NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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