采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：821100，"15+"：800，"16+"：4500，"9999"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF02N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：821100，"15+"：800，"16+"：4500，"9999"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF02N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：16630，"04+"：2000，"10+"：9450，"11+"：100，"16+"：50，"17+"：480，"18+"：1500，"19+"：30800，"MI+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP03N60S5XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP03N60S5XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N60M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N60M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：16630，"04+"：2000，"10+"：9450，"11+"：100，"16+"：50，"17+"：480，"18+"：1500，"19+"：30800，"MI+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP03N60S5XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：16630，"04+"：2000，"10+"：9450，"11+"：100，"16+"：50，"17+"：480，"18+"：1500，"19+"：30800，"MI+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP03N60S5XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3675，"14+"：8769}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N60M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3675，"14+"：8769}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3675，"14+"：8769}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP03N60S5XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP03N60S5XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF02N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
连续漏极电流：4.6A
栅极电荷：16nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
功率：54W
输入电容：600pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
