采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7ATMA1
功率：72W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
阈值电压：4V@280µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
输入电容：1081pF@400V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
功率：150W
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF25N60M2-EP
输入电容：1090pF@100V
阈值电压：4.75V@250µA
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
功率：30W
漏源电压：600V
导通电阻：188mΩ@9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
功率：30W
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
功率：150W
输入电容：1060pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
功率：150W
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP24N60DM2
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
功率：150W
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
输入电容：1273pF@100V
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R125CFD7XKSA1
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
类型：N沟道
栅极电荷：36nC@10V
阈值电压：4.5V@390µA
包装方式：管件
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
输入电容：1503pF@400V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4.5V@390µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF25N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：188mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R180P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
