首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型: N沟道
    漏源电压: 600V
    功率: 60W
    行业应用: 汽车
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订3个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订3个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@240µA

    类型:N沟道

    功率:60W

    栅极电荷:14.5nC@10V

    漏源电压:600V

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W5,RVQ 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W5,RVQ 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5P60W5,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4.5V@230µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@300V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P60D(TE16L1,NQ)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P60D(TE16L1,NQ)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P60D(TE16L1,NQ)

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP9N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP9N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD9N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6Q60W,S1VQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6Q60W,S1VQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6Q60W,S1VQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@310µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:820mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5Q60W,S1VQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5Q60W,S1VQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5Q60W,S1VQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W,RVQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧