品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€102W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1764pF@30V
连续漏极电流:3.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€102W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1764pF@30V
连续漏极电流:3.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€102W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1764pF@30V
连续漏极电流:3.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€102W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1764pF@30V
连续漏极电流:3.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:17.2A€70.2A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
输入电容:2540pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:6.25W€104W
输入电容:3740pF@75V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
连续漏极电流:19A€77.4A
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}
规格型号(MPN):FDC2512-P
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
输入电容:344pF@75V
导通电阻:425mΩ@1.4A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:15nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:4.8W€56.8W
连续漏极电流:7.8A€26.8A
输入电容:770pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440DV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:375mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:1.14W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:69.5W
漏源电压:150V
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:740pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:17.2A€70.2A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
输入电容:2540pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
功率:1.14W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:77mΩ@12A,10V
输入电容:765pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800152DC
功率:3.2W€113W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A€72A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:9mΩ@13A,10V
栅极电荷:83nC@10V
输入电容:5875pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:69.5W
漏源电压:150V
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:740pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2110pF@75V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
连续漏极电流:8A€50A
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:22mΩ@8A,10V
功率:3.1W€132W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7818DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:135mΩ@3.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:17.2A€70.2A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
输入电容:2540pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2330pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:6.7A€20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
功率:1.14W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:135mΩ@3.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
栅极电荷:4nC@10V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:236mΩ@2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:215pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2330pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.7A€20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2330pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.7A€20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:69.5W
漏源电压:150V
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:740pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: