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    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86251

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@75V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:175mΩ@2.4A,10V

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:17.2A€70.2A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    输入电容:2540pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:6.25W€104W

    输入电容:3740pF@75V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:19A€77.4A

    栅极电荷:71nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}

    规格型号(MPN):FDC2512-P

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    输入电容:344pF@75V

    导通电阻:425mΩ@1.4A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5710DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5710DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:31.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:15nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:4.8W€56.8W

    连续漏极电流:7.8A€26.8A

    输入电容:770pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:1.14W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:29A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:69.5W

    漏源电压:150V

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:740pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A€35A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2715pF@75V

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:17.2A€70.2A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    输入电容:2540pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    功率:1.14W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD770N15A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD770N15A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD770N15A

    包装方式:卷带(TR)

    功率:56.8W

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:77mΩ@12A,10V

    输入电容:765pF@75V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800152DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800152DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800152DC

    功率:3.2W€113W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:13A€72A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:9mΩ@13A,10V

    栅极电荷:83nC@10V

    输入电容:5875pF@75V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:29A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:69.5W

    漏源电压:150V

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:740pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86250 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86250 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86250

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@75V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    连续漏极电流:8A€50A

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    功率:3.1W€132W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86251 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86251

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@75V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:175mΩ@2.4A,10V

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:17.2A€70.2A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    输入电容:2540pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:2330pF@75V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:36nC@10V

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:6.7A€20A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A€35A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2715pF@75V

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    功率:1.14W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246

    栅极电荷:4nC@10V

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:236mΩ@2A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:215pF@75V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:2330pF@75V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:36nC@10V

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.7A€20A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A€35A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2715pF@75V

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:2330pF@75V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:36nC@10V

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.7A€20A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:29A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:69.5W

    漏源电压:150V

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:740pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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