品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1191,"23+":81}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1542
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1542
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: