品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
工作温度:150℃
功率:2W€59W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
工作温度:150℃
功率:2W€59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€42W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€39W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3300CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@75V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
工作温度:150℃
功率:2W€59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
工作温度:150℃
功率:2W€59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€39W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€39W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
工作温度:150℃
功率:2W€59W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3300CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@75V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3300CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@75V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3300CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@75V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4151TZ-E
工作温度:150℃
功率:750mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:98pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.95Ω@500mA,4V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
工作温度:150℃
功率:2W€59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€39W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€42W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€42W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€42W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€42W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€39W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€39W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€42W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN5900CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€39W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: