品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7050,"9999":284}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3N62K3
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N62K3
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N62K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:875pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI4N62K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N62K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.1A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N62K3
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N62K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:875pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3N62K3
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF5N62K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.1A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHU6N62E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:578pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF06N62ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:923pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHU6N62E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:578pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@50V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.1A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF5N62K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.1A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI4N62K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N62K3
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N62K3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:25.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:706pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI4N62K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI4N62K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3N62K3
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存: