品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.6V@111µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@60V
连续漏极电流:19.2A€163A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@60V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10639,"24+":1320}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT030N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:198nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@60V
连续漏极电流:24A€237A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB038N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13800pF@60V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT030N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:198nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@60V
连续漏极电流:24A€237A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
阈值电压:4V@370A
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@60V
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2796,"MI+":2903}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT030N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:198nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@60V
连续漏极电流:24A€237A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1730,"21+":1609,"22+":540,"23+":5064,"MI+":1299}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202ET120
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4585pF@60V
连续漏极电流:13.5A€102A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N12S3L31ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@29µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@30A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@60V
连续漏极电流:8.6A€44A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@39A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB036N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13800pF@60V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N12S3L31ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@29µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@30A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.6V@111µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@60V
连续漏极电流:19.2A€163A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@60V
连续漏极电流:8.6A€44A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@39A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: