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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
栅极电荷：34nC@10V
连续漏极电流：32A
输入电容：2000pF@60V
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：120V
包装方式：管件
阈值电压：4V@500µA
功率：30W
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
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功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：32A
类型：N沟道
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漏源电压：120V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：98W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK32E12N1，S1X
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功率：98W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
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功率：30W
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导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
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阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
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连续漏极电流：60A
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栅极电荷：34nC@10V
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连续漏极电流：32A
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漏源电压：120V
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类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
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