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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：59025}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：59025}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：135979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：135979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：59025}
规格型号(MPN)：NTD3808NT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：16V
栅极电荷：21nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：1.3W€52W
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1660pF@12V
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
连续漏极电流：12A€76A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：75000}
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
连续漏极电流：7.6A€34.5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：16V
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：10.5nC@4.5V
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
输入电容：702pF@12V
功率：1.2W€25.9W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
连续漏极电流：3.8A
输入电容：102pF@0V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：16V
工作温度：150℃
功率：15W
类型：N沟道
阈值电压：750mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
