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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7148DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7148DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB75NF75LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：300W
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连续漏极电流：75A
类型：N沟道
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功率：300W
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输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7148DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB75NF75LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37.5A，10V
漏源电压：75V
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连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37.5A，10V
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功率：300W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37.5A，10V
漏源电压：75V
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规格型号(MPN)：SI7148DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
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连续漏极电流：75A
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导通电阻：11mΩ@37.5A，10V
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连续漏极电流：28A
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连续漏极电流：28A
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输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
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栅极电荷：100nC@10V
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输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
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行业应用：工业,汽车
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功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
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输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB75NF75LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@5V
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输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7148DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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功率：5.4W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
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输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7148DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
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功率：300W
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类型：N沟道
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连续漏极电流：75A
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导通电阻：11mΩ@37.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：90nC@5V
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类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37.5A，10V
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栅极电荷：90nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37.5A，10V
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