采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN230ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：625mW€5.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N40K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@50V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@600mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@218µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB02N60S5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@218µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ130UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@218µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2120UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP295H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：368pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7464DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP295H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：368pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ130UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP295H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：368pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN230ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：625mW€5.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ130UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN230ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：625mW€5.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N40K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@50V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@600mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
