采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
类型：N-Channel
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
漏源电压：50V
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2209}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D75Z
功率：400mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：65450}
规格型号(MPN)：BSS123
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：14pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：1.8nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：14pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：1.8nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
导通电阻：20Ω@100mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：6.2nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：19+
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：14pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：1.8nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N-Channel
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N-Channel
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY301NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
