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    类型: N沟道
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:640mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:640mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:640mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:640mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:640mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
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