采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL10N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI840GLCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PbF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL10N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
