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    类型: N沟道
    连续漏极电流: 25A
    阈值电压: 4V@250µA
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:202W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25NF10T4 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STD25NF10T4 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH25N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:216W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3352pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD20NF10T4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD20NF10T4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25NF10T4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD25NF10T4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订5000个装
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订5000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86581-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6362,"MI+":2300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86381-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:866pF@40V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86581-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6362,"MI+":2300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86381-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:866pF@40V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7172DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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