采购热线 400-661-9010
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9640-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3072pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9640-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3072pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3060ALHRC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@6.67mA
栅极电荷：58nC@18V
包装方式：管件
输入电容：852pF@500V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：174}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3060ALHRC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@6.67mA
栅极电荷：58nC@18V
包装方式：管件
输入电容：852pF@500V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3060ALGC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@6.67mA
栅极电荷：58nC@18V
包装方式：管件
输入电容：852pF@500V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：75}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPAFKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.74mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3060ALGC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@6.67mA
栅极电荷：58nC@18V
包装方式：管件
输入电容：852pF@500V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3060ALGC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@6.67mA
栅极电荷：58nC@18V
包装方式：管件
输入电容：852pF@500V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3060ALGC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@6.67mA
栅极电荷：58nC@18V
包装方式：管件
输入电容：852pF@500V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：174}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48N60M6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2578pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@19.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN44N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：200nC@10V
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76633P3-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：145W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1820pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@39A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
