采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：3A
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
输入电容：220pF@10V
漏源电压：20V
栅极电荷：3.81nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2302
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：3A
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
输入电容：220pF@10V
漏源电压：20V
栅极电荷：3.81nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RA1C030LDT5CL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
