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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD17NF03LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD17NF03LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD17NF03LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD17NF03LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD17NF03LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD17NF03LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4174DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
