采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YSFX
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM65N20-30-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YSFX
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UnitedSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065030B3
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@50A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM65N20-30-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UnitedSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C120040K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@15V
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@40A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1082，"21+"：3554，"22+"：19003，"23+"：2547}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM65N20-30-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
