品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5665pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5665pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4950}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5945pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17327Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17327Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4950}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5945pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN66N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:830W
阈值电压:5.5V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@33A,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: