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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50028EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
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类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SQM50028EM_GE3
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功率：375W
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类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
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功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
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连续漏极电流：120A
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导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
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输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQM50028EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60030E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60030E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60030E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60030E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60030E_GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：165nC@10V
输入电容：12000pF@25V
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
功率：375W
连续漏极电流：120A
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