采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040M-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040M-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040M-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040M-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15600pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
