采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP100N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：238nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3790pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3140，"22+"：7497，"23+"：7200，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6773pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM70060EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：238nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3790pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15000，"18+"：1250，"19+"：4250，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100P，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUFA75645S3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：238nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3140，"22+"：7497，"23+"：7200，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6773pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-100BSEJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：296W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7110pF@50V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT75N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15000，"18+"：1250，"19+"：4250，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100P，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3790pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2242，"MI+"：720}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15000，"18+"：1250，"19+"：4250，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100P，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3140，"22+"：7497，"23+"：7200，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6773pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3140，"22+"：7497，"23+"：7200，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6773pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP100N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100P，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP100N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2242，"MI+"：720}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3790pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：490，"24+"：16489}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4710PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6160pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM70060EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM70060EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：238nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3790pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP100N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
