品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:24.5mΩ@18A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2657,"23+":3108}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: