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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CH X0G
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
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输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CH X0G
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1180pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：16.6nC@10V
功率：66W
导通电阻：34mΩ@15A，10V
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：TSM340N06CH X0G
工作温度：150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1180pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：管件
功率：66W
导通电阻：34mΩ@15A，10V
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
栅极电荷：24nC@4.5V
功率：7W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2200pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：175℃
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
栅极电荷：24nC@4.5V
功率：7W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
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类型：N沟道
工作温度：175℃
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CH X0G
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CH X0G
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
