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    类型: N沟道
    连续漏极电流: 310mA
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:300+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G 起订17个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002WT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订94个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订94个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002KW 起订7个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002KW 起订7个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KW 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KW 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002HWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订116个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订116个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KW 起订51个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KW 起订51个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订71个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订71个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KW 起订39个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KW 起订39个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN10KN3-G 起订5个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN10KN3-G 起订5个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10KN3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订21000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订21000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订246000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订246000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2V7002WT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2V7002WT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2V7002WT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G 起订95个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G 起订95个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002WT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN10KN3-G-P002 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN10KN3-G-P002 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10KN3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KW 起订12个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KW 起订12个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002WT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002HWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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