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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1282pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
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功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：40A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：GT060N04D3
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功率：24W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1282pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：40A
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栅极电荷：32nC@10V
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输入电容：1282pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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功率：24W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
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输入电容：1282pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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功率：24W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
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输入电容：1282pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
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功率：5W€34.7W
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栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
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连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
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功率：5W€34.7W
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栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
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功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1282pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1282pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D3
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功率：24W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1282pF@20V
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导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR422DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€34.7W
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栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
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