采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
