采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：80}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH067N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M14-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1211pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4229PBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4560pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK44N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：658W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：5440pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M14-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：11.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1211pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48NM60N
工作温度：150℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4285pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M14-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1211pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：58000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1205TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@26A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：18，"22+"：2165，"23+"：37800，"MI+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH4210DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4812pF@13V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48NM60N
工作温度：150℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4285pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1205TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@26A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4500，"23+"：3750}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK44N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：198nC@10V
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@22A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1205TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@26A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
