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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
