采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：329，"17+"：378，"18+"：6767}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6610-75C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5251pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB4132PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：135}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4321PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4460pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：15.5mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4321PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4460pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：15.5mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB4132PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：145500，"23+"：195000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2008}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4321PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4460pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：15.5mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4321PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4460pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：15.5mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8743PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4321PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4460pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：15.5mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C460NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@20V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB4132PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"18+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6210-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB4132PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN100N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@50A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"18+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6210-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB4132PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C460NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@20V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB4132PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
